Семинар ОПР

Когда 2017-06-07 14:30:00 Место малый конференц-зал, 7 корп. Тема

Квантовохимическое моделирование реакций сухого травления нитрида кремния

Докладчик Ю. Барсуков (Coddan Technoligies) Подробнее

Аннотация:

Важнейшим процессом изготовления MOS транзисторов является технология локального окисления LOCOS.

Для локализации окисления используется временная маска из нитрида кремния, которая удаляется после того как окисление закончено. Для удаления нитридной маски в промышленности используется жидкостное травление, которое обладает рядом недостатков. Перед микроэлектронной промышленностью стоит большая задача перейти от жидкостного к сухому травлению нитрида кремния, что оптимизирует и удешевит производственную цепочку. На основании квантовохимических расчетов мы предложили механизм, при котором травление нитрида кремния усиливается газом NO. Аналитическая модель скорости травления воспроизводит экспериментальные данные с высокой точностью. Дальнейшие расчеты показали, что газ NO является не самым оптимальным и может быть заменен на ряд других. Таким образом, квантовохимическое моделирование позволяет спланировать эксперимент, а главное предложить рецепты с новой химией.

фгбу пияф им. Б. П. Константинова Национальный исследовательский центр Курчатовский институт